秦克精神大振。

　　芯片技术的任务终于来了！果然，自己猜得没错，特殊分支科技肯定会一直有任务发下来，只是时间不确定罢了。

　　这也意味着，停滞了好久的“人工智能”分支科技，以后也必定会有新的任务。

　　而触发新任务的方式，可能是遇到刚好与之有关的事件，比如这次许老师找上门来求助EDA算法的事，系统就直接下发了与EDA有关的芯片任务。

　　当然，除了想明白这些细节外，最让秦克感觉精神振奋的是任务的奖励，居然有一份S级的知识！而且是适用于1nm芯片的全新型碳晶复合纳米材料制作全流程！

　　1nm的制程工艺是甚么概念？

　　要知道现在国际主流的芯片采用的硅基材料，制程工艺物理极限只能达到7nm而已！

　　因为硅基晶体管由源极，漏极和栅极组成，栅极负责电子的流向，通过“开和关”的动作来标识着0和1这两个二进制信号，但当晶体管栅长低于7nm时，里面的电子就有很大概率产生量子穿隧效应，即电子会穿过它们本来无法通过的“墙壁”而呈现出不受控制的情况。

　　0和1这最基本的二进制信号不可控，那还谈什么用来制造芯片？

　　近来得益于一种新研发出来的互补式金属氧化物半导体晶体管“FinFET”（翻译过来就是“鳍式场效应晶体管”），大幅缩短晶体管的栅长，才使得5nm开始进入量产阶段。

　　但哪怕是在FinEFT技术下，芯片制造工艺极限也只到3nm，无论是鳍片距离问题、短沟道效应问题、热效应问题都无法得到解决，于是更高级的环绕式闸极电晶体（GAA）诞生了，一举将制程工艺压缩到2nm，目前GAA技术也只是小规模地运用，无法真正量产。

　　1nm制程工艺已无法忽略量子效应了，量子穿隧效应将成为常态。可以说，1nm基本上就是传统数字模式的芯片与量子芯片的界限。据说能达到1nm制程工艺的、掺杂了二硫化钼的新型碳纳米管，也只存在于实验室的研究当中，距离面世遥遥无期，更别说进行商业量产了。

　　现在系统出品的S级知识，居然是关于适用于1nm芯片的全新型碳晶复合纳米材料的制造方法！而且这肯定是能稳定制作芯片的新型复合纳米材料！

　　秦克怎么能不激动！

　　这应该是传统芯片设计构架下的所能达到的最完美最极限的材料了，也可以为更进一步的量子芯片奠定基础！

　　无论是为了自己设计出人工智能机械人的目标，还是替国家解决卡脖子的难题，秦克都对这份S级的知识志在必得！

　　而且他感觉这个任务的难度不会太高，因为系统在发布任务时，也给他灌输了一份资料，有关新型架构EDA的主要思路，

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